Pełnotekstowe zasoby PLDML oraz innych baz dziedzinowych są już dostępne w nowej Bibliotece Nauki.
Zapraszamy na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last

Wyniki wyszukiwania

help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote

Numerical analysis of nonlinear model of excited carrier decay

100%
EN
This paper presents a mathematical model for photo-excited carrier decay in a semiconductor. Due to the carrier trapping states and recombination centers in the bandgap, the carrier decay process is defined by the system of nonlinear differential equations. The system of nonlinear ordinary differential equations is approximated by linearized backward Euler scheme. Some a priori estimates of the discrete solution are obtained and the convergence of the linearized backward Euler method is proved. The identifiability analysis of the parameters of deep centers is performed and the fitting of the model to experimental data is done by using the genetic optimization algorithm. Results of numerical experiments are presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.